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https://hdl.handle.net/20.500.14094/90002977
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90002977 (fulltext)
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532 KB
7
メタデータ
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メタデータID
90002977
アクセス権
open access
出版タイプ
Version of Record
タイトル
A 40-nm 256-Kb Half-Select Resilient 8T SRAM with Sequential Writing Technique
著者
Yoshimoto, S. ; Terada, M. ; Okumura, S. ; Suzuki, T. ; Miyano, S. ; Kawaguchi, H. ; Yoshimoto, M.
著者名
Yoshimoto, S.
吉本, 秀輔
著者名
Terada, M.
寺田, 正治
著者名
Okumura, S.
奥村, 俊介
著者名
Suzuki, T.
鈴木, 利一
著者名
Miyano, S.
宮野, 信治
著者ID
A0302
研究者ID
1000000361642
KUID
https://kuid-rm-web.ofc.kobe-u.ac.jp/search/detail?systemId=b584e37f288df9e9520e17560c007669
著者名
Kawaguchi, H.
川口, 博
所属機関名
科学技術イノベーション研究科
著者ID
A0340
研究者ID
1000030324099
KUID
https://kuid-rm-web.ofc.kobe-u.ac.jp/search/detail?systemId=40bd226fd9fbd0ed520e17560c007669
著者名
Yoshimoto, M.
吉本, 雅彦
所属機関名
システム情報学研究科
収録物名
IEICE Electronics Express
巻(号)
9(12)
ページ
1023-1029
出版者
The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers(IEICE)
刊行日
2012-06-20
公開日
2015-11-25
カテゴリ
システム情報学研究科
科学技術イノベーション研究科
学術雑誌論文
権利
copyright©2012 IEICE
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資源タイプ
journal article
言語
English (英語)
eISSN
1349-2543
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DOI
https://doi.org/10.1587/elex.9.1023
NAID
130001920887
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