Depositing Mechanism of Metal Oxide Thin Film in the Liquid Phase Deposition Process

https://hdl.handle.net/20.500.14094/90005892

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メタデータID	90005892
アクセス権	open access
出版タイプ	Version of Record
タイトル	Depositing Mechanism of Metal Oxide Thin Film in the Liquid Phase Deposition Process
著者	Mizuhata, Minoru ; Saito, Yasuhito ; Takagi, Mariko ; Deki, Shigehito
著者ID A0922 研究者ID 1000010283871 KUID https://kuid-rm-web.ofc.kobe-u.ac.jp/search/detail?systemId=bc56357c0d6f0f29520e17560c007669 著者名 Mizuhata, Minoru 水畑, 穣ミズハタ, ミノル所属機関名工学研究科
著者名 Saito, Yasuhito
著者名 Takagi, Mariko
著者名 Deki, Shigehito
収録物名	ECS Transactions
巻(号)	16(46)
ページ	93-101
出版者	Electrochemical Society
刊行日	2009
公開日	2019-04-23
抄録	The equilibrium reaction of fluorosilicate ion (SiF62-) in the LPD method was investigated by the measurement of UV and IR spectroscopies, Raman spectroscopy. These measurements were carried out by adding the F- scavenger such as H3BO3 and Al metal which shifts the equilibrium reaction. Also, the concentration of Si dissolving species was measured after addition of fine alpha-Al2O3 powder. These species were estimated to be involved in the LPD process as intermediates and important for controlling the deposition process of metal oxide.
カテゴリ	工学研究科
カテゴリ	学術雑誌論文
権利	© 2009 ECS - The Electrochemical Society