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https://hdl.handle.net/20.500.14094/90005901
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90005901 (fulltext)
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メタデータ
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メタデータID
90005901
アクセス権
open access
出版タイプ
Version of Record
タイトル
Effects of a thin nitrogen-doped layer on terahertz dynamics in GaAs containing InAs quantum dots
著者
Kojima, Osamu ; Izumi, Ryo ; Kita, Takashi
著者ID
A0956
研究者ID
1000000415845
KUID
https://kuid-rm-web.ofc.kobe-u.ac.jp/search/detail?systemId=174deb414e2dd3a0520e17560c007669
著者名
Kojima, Osamu
小島, 磨
コジマ, オサム
所属機関名
工学研究科
著者名
Izumi, Ryo
著者ID
A0491
研究者ID
1000010221186
KUID
https://kuid-rm-web.ofc.kobe-u.ac.jp/search/detail?systemId=7853123c7c766d89520e17560c007669
著者名
Kita, Takashi
喜多, 隆
キタ, タカシ
所属機関名
工学研究科
収録物名
OSA Continuum
巻(号)
2(5)
ページ
1621-1628
出版者
Optical Society of America
刊行日
2019-05-15
公開日
2019-04-25
抄録
The transient terahertz signal generated by electron diffusion that was excited by an ultrashort pulse was observed to vary with the potential structure around the surface. The formation of InAs quantum dots caused the strain field and the nitrogen atoms to further modify the potential structure around the quantum dots. The terahertz signal that was observed for various pump energies exhibited an interesting phase change. Further, the change in terahertz dynamics originated from the formation of a dilute nitrogen layer around the quantum dots. Furthermore, this change depends on the position of the nitrogen-doped layer. The results of this study provide important information for controlling the optical properties of quantum dots.
カテゴリ
工学研究科
学術雑誌論文
権利
© 2019 Optical Society of America. Users may use, reuse, and build upon the article, or use the article for text or data mining, so long as such uses are for non-commercial purposes and appropriate attribution is maintained. All other rights are reserved.
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資源タイプ
journal article
言語
English (英語)
eISSN
2578-7519
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DOI
https://doi.org/10.1364/OSAC.2.001621
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