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https://hdl.handle.net/20.500.14094/90007555
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90007555 (fulltext)
pdf
1.11 MB
3
メタデータ
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メタデータID
90007555
アクセス権
open access
出版タイプ
Accepted Manuscript
タイトル
Energy distribution of interface states generated by oxygen plasma treatment for control of threshold voltage in pentacene thin-film transistors
著者
Kimura, Yoshinari ; Hattori, Yoshiaki ; Kitamura, Masatoshi
著者名
Kimura, Yoshinari
著者ID
A2258
研究者ID
1000090736654
KUID
https://kuid-rm-web.ofc.kobe-u.ac.jp/search/detail?systemId=b9487d8e029552e4520e17560c007669
著者名
Hattori, Yoshiaki
服部, 吉晃
ハットリ, ヨシアキ
所属機関名
工学研究科
著者ID
A0125
研究者ID
1000010345142
KUID
https://kuid-rm-web.ofc.kobe-u.ac.jp/search/detail?systemId=323dcdd3ee9beeca520e17560c007669
著者名
Kitamura, Masatoshi
北村, 雅季
キタムラ, マサトシ
所属機関名
工学研究科
収録物名
Journal of Physics D: Applied Physics
巻(号)
53(50)
ページ
505106
出版者
IOP Publishing
刊行日
2020-12-09
公開日
2022-01-04
抄録
Pentacene metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors with a SiO2 dielectric treated by oxygen plasma have been studied by capacitance-voltage (C-V) measurements to investigate the energy distribution of the interface states. Oxygen plasma treatment, which is used for control of the threshold voltage in pentacene thin-film transistors, shifted the C-V curves of pentacene MOS capacitors to a positive gate voltage as well as the transfer curves of pentacene thin-film transistors (TFTs). The shift is explained by electrons captured at interface states generated by oxygen plasma treatment. The interface states capturing the electrons are expected to locate at low energy levels. The energy distribution of the interface states locating at middle or high energy levels was extracted by a method equivalent to the Terman method. By use of the method in two steps, the interface state densities distributed at middle and high energy levels (D(M)andD(H)) were separately obtained. D(M) and D(H) were of the order of 10(10)-10(12)cm(-2)eV(-1), and increased with an increase in plasma treatment time.
キーワード
interface states
MOS capacitors
C-V measurement
pentacene
oxygen plasma
カテゴリ
工学研究科
学術雑誌論文
権利
© 2020 IOP Publishing Ltd. This is the Accepted Manuscript version of an article accepted for publication in Journal of Physics D: Applied Physics. IOP Publishing Ltd is not responsible for any errors or omissions in this version of the manuscript or any version derived from it. The Version of Record is available online at https://doi.org/10.1088/1361-6463/abb554
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資源タイプ
journal article
言語
English (英語)
ISSN
0022-3727
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eISSN
1361-6463
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NCID
AA00704905
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DOI
https://doi.org/10.1088/1361-6463/abb554
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