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https://hdl.handle.net/20.500.14094/90000078
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説明
90000078 (fulltext)
pdf
291 KB
7
メタデータ
ファイル出力
メタデータID
90000078
アクセス権
open access
出版タイプ
Version of Record
タイトル
Bound exciton states of isoelectronic centers in GaAs:N grown by an atomically controlled doping technique
著者
著者ID
A0491
研究者ID
1000010221186
KUID
https://kuid-rm-web.ofc.kobe-u.ac.jp/profile/ja.7853123c7c766d89520e17560c007669.html
著者名
Kita, Takashi
喜多, 隆
キタ, タカシ
所属機関名
工学研究科
著者名
Wada, Osamu
和田, 修
ワダ, オサム
収録物名
Physical Review B
巻(号)
74(3)
ページ
35213-35213
出版者
American Physical Society (APS)
刊行日
2006-07
公開日
2006-10-20
カテゴリ
工学研究科
学術雑誌論文
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資源タイプ
journal article
言語
English (英語)
ISSN
1098-0121
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関連情報
DOI
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.74.035213
URI
http://prb.aps.org/
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